[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-8] ダイヤモンドMOSFETの高速(<10ns)スイッチング特性

サハ ニロイ　チャンドラ¹、白土 智基¹、金 聖祐²、小山 浩司²、大石 敏之¹、〇嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.Orbray（株）)

キーワード：ダイヤモンド、スイッチング特性、MOSFET

ダイヤモンドMOSFETで初めてスイッチング特性測定を行い, 非常に高速のスイッチング特性が得られたので報告する.