[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-9] ダイヤモンドMOSFETの長時間(190h)ストレス測定

サハ ニロイ チャンドラ¹、白土 智基¹、金 聖祐²、小山 浩司²、大石 敏之¹、〇嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.Orbray（株）)

キーワード：ダイヤモンド、ストレス試験、MOSFET

ダイヤモンドMOSFETで長時間測定を初めて行い, 劣化のないストレス特性が得られたので報告する.