[17a-A303-1~6] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

△ [17a-A303-5] In₂O₃系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価

〇(DC)石井 寛仁^1,2、大石 和明^1,2、鯉田 崇²、清水 鉄司²、石井 裕之²、張 文馨²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：TCO、InGaAs、フォトダイオード

我々は、近赤外領域で透明かつ高い電気伝導率を有するIn₂O₃系透明導電性酸化膜(TCO)をゲート電極に用いたInGaAs PhotoFETを作製し、その分光感度特性からTCOの近赤外線検出デバイスへの有効性などを評価してきた。これまでにTCOがMOS構造におけるゲート電極として機能すると同時に、TCOを介した近赤外線の1800nmまでの広帯域検出とFET増幅効果による感度向上を見出している。今回は、表面照射型TCO/InGaAs Schottkyフォトダイオードを作製し、そのSchottky障壁と近赤外線感度特性を評価したので報告する。