[17a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-B401-7] 炭素フリー原料を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜の発光ダイナミクス

〇粕谷 拓生¹、嶋 紘平¹、原 和彦²、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.静大電子研/創造科学院)

キーワード：六方晶窒化ホウ素、カソードルミネッセンス

六方晶(h)BNは間接遷移型半導体でありながら深紫外光を高効率に発効する材料として注目されている。近年、bernal相の光学特性が報告され始め、さらに研究の幅を拡げている。静大の原らは炭素フリー原料を用いた減圧化学気相成長(CVD)法によりhBN薄膜を成長させ、構造及び光学特性を報告してきた。本講演では、同手法で成長環境の炭素源をさらに低減させた新規反応管を用いてCVD成長させたhBN薄膜の構造・光学特性を報告する。