[17a-D209-1~8] 11.1 基礎物性

[17a-D209-6] 分子線エピタキシー法による高品質IV族窒化物超伝導体薄膜の作製

〇瀧口 耕介¹、クロッケンバーガー ヨシハル¹、谷保 芳孝¹、山本 秀樹¹ (1.NTT物性研)

キーワード：窒化物、分子線エピタキシー

高融点元素を有するIV族窒化物超伝導体の分子線エピタキシーを用いた結晶成長について報告する。電子衝撃発光分光により高融点材料のフラックスを高度に制御が可能となった結果、TiNでは最高品質（RRR=15.8）の超伝導単結晶薄膜が得られた。また、ZrN、HfNにおいても001配向した超伝導薄膜を成膜することに成功した。