[17a-D704-1~9] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[17a-D704-7] 面内スピンバルブ型CoFeB/MgO/CoFeB強磁性トンネル接合における高効率データ取得と多層構造最適化

〇介川 裕章¹、Scheike Thomas¹、Wen Zhenchao¹、葛西 伸哉¹、三谷 誠司¹ (1.物材機構)

キーワード：強磁性トンネル接合、トンネル磁気抵抗効果、MgO

最近我々は単結晶強磁性トンネル接合（MTJ）を用いてバリア界面の最適化により大幅なTMR比向上を報告した。本研究では、この単結晶MTJ技術を応用素子で主流のCoFeB/MgO/CoFeB型多結晶MTJへの展開を検討した。複雑な多層膜構造の高速プロセス最適化のため高スループット成膜装置を活用し、ピン層を持つスピンバルブCoFeB/MgO/CoFeB型MTJのトンネル磁気抵抗（TMR）最適化を行った結果を報告する。