[17a-PA01-1~7] 7 ビーム応用（ポスター）

[17a-PA01-3] FIB-SIMSによるドーパント分析検討

〇阿久津 稔¹、比氣 朋典¹、吉川 政夫¹ (1.ローム株式会社)

キーワード：集束イオンビーム、二次イオン質量分析、不純物

Xeプラズマをビーム源とした集束イオンビーム（ＦＩＢ）と微量分析手法の一つである二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）をコラボレーションさせたＦＩＢ－ＳＩＭＳを導入し、その特長について検証中。本報告ではその第一弾としてＦＩＢ－ＳＩＭＳを半導体中のドーパント分析に関して適用し、パーセントオーダー以下のドーパントが検出できることがわかった。