[17a-PA03-1~24] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[17a-PA03-15] A サイト欠陥の補填によるペロブスカイト量子ドットの高内部量子収率化

〇(B)佐藤 颯軌¹、森川 結策²、浅倉 聡³、千葉 貴之^4,5、増原 陽人^2,5 (1.山形大工、2.山形大院理工、3.伊勢化学、4.山形大院有機シス、5.山形大有機材料シスセ)

キーワード：ペロブスカイト量子ドット、高内部量子収率、欠陥補填

ABX₃型ペロブスカイト量子ドット（PeQDs）は、広色域、高い色純度等の光学特性を有し、次世代LEDの発光材料として注目されている。しかし、PeQDsのA site欠陥が原因で、デバイス効率の因子である内部量子収率（PLQY）が低く、実用化への課題となっている。本研究では、PeQDsのA site欠陥にアルカリ金属を配位することで、PLQYの大幅な向上（28%→84%）に成功した。