[17a-PA04-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

[17a-PA04-11] ソース・ドレイン電極厚さによる貼り付け型有機単結晶FETの水誘起動作不安定性の制御

濱比嘉 勇人¹、〇野内 亮^1,2 (1.大阪公立大工、2.JSTさきがけ)

キーワード：ヒステリシス、仕事関数、電荷注入障壁

水分子が絶縁体-半導体界面に侵入すると、ゲートバイアスストレスによる電流減少効果が起きることが古くから知られている。実際は、これに加えて、当グループで見出したソース・ドレイン電極由来の電流増大効果が複合的に作用し、FET特性に影響を与える。本講演では、BGBC型の貼り付け有機単結晶FETにおいて、電極近傍への水分子の侵入しやすさを電極厚さで制御することで、ヒステリシスが変調できることを報告する。