[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-1] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長（VI）

〇木村 日向¹、三澤 亮太¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタエピタキシー、ZnO、酸化亜鉛

我々は，UHVスパッタエピタキシー法にてサファイア基板上にZnOのエピタキシャル成長を行っている．今回は，ZnO結晶中の酸素空孔密度の減少を目的に，O₂/Ar混合ガスを用いて2インチ径サファイア基板上にZnO層の成長を行った．O₂ガス混合比0%にて見られた逆六角錐状の構造は，O₂ガス混合比2%においては見られなくなり，全体的に平坦性が向上した表面形態となった．