[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-4] 粉末ターゲットを用いたスパッタリング法によるGa₂O₃薄膜の成長

〇及川 篤弥¹、藤田 実樹¹、永露 大希²、松本 凛太郎²、牧本 俊樹² (1.一関高専、2.早大理工)

キーワード：酸化ガリウム、スパッタリング法、粉末ターゲット

粉末ターゲットを用いたスパッタリング法によってGa₂O₃薄膜を作製し評価を行った。石英ガラス基板上への成長であったが、β-Ga₂O₃への結晶配向が確認されたため、粉末を用いたスパッタリング法は有用であると考えられる。プレス圧や粉末ホルダ形状の条件を変えた場合においても結晶配向が確認されたが、成長速度に差が見られた。