[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-5] ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いたＧａＮ薄膜の作製と評価に関する研究

桑原 翔太¹、佐藤 祐喜¹、大鉢 忠¹、〇吉門 進三¹ (1.同志社大理工)

キーワード：ワイドバンドギャップ化合物半導体、薄膜、RFマグネトロンスパッタ

本研究では，直接遷移型ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム (GaN)の薄膜を，製膜速度が比較的速く，大面積に製膜可能な薄膜作製方法であるRFマグネトロンスパッタを用いて，粉末ターゲットを使用して，成膜してきた。しかし，膜質は良好ではなく，またターゲットにSiを添加した場合も，抵抗率の低下が見られず，伝導型の制御が困難であることが分かった。そこで，本研究では，Siを添加した単結晶ウェハをターゲットして，GaN 単結晶基板等を使用して，RFマグネトロンスパッタを用いて成膜を行い，結晶性の改善方法について検討した。