[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-10] GaNにおけるMgアクセプターの拡散機構の理論的検討

〇(P)制野 かおり^1,2、押山 淳¹、櫻井 亮介³、白石 賢二^1,3 (1.名大未来研、2.イエナ大物理、3.名大院工)

キーワード：p型GaN、原子拡散、第一原理計算

GaNの次世代パワーデバイスでの用途において局所選択的p 型ドーピングが重要な技術となるが、超高圧高温でアニールする方法によってMgイオン注入により高品質なp 型 GaNが実現しつつある。そのため、p型GaNのアクセプター原子であるMg原子の振る舞いの理解は重要であり、本研究ではGaN中のMgアクセプターおよびその拡散機構を第一原理計算から解明していく。