[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-11] GaN基板の低コスト、低CO₂排出に寄与するリサイクルプロセス技術の開発

〇大原 淳士¹、長屋 正武¹、原 一都¹、星 真一¹、金村 高司¹、牛島 隆志¹、石田 崇¹、中林 正助¹、加藤 孝三¹、小山 貴之¹、長里 喜隆¹、鶴田 和弘¹、小島 淳^1,2、恩田 正一^1,2、上杉 勉²、田中 敦之²、笹岡 千秋²、須田 淳²、原 佳祐³、河口 大祐³、久野 耕司³、筬島 哲也³ (1.ミライズ、2.名古屋大、3.浜ホト)

キーワード：GaN基板、リサイクル、レーザスライス

GaNデバイスの普及に向けて基板の低コスト化は必須である。また基板製造に要するエネルギー低減も課題である。本研究ではこれらに鑑み、低コスト、低CO_２排出を実現するウェハプロセス技術としてレーザスライスによるデバイス部分離と平坦化研削・研磨、厚いエピ成膜を組み合わせた基板リサイクルの確立を目指している。今回、コンセプトを具体化する目的で提案プロセスがΦ２ウェハ状態で一巡すること等を検証した。