[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-14] Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal

〇kazuya Uryu^1,2, Yuchen Deng¹, Son Phuong Le³, Toshi-kazu Suzuki¹ (1.JAIST, 2.ATL, 3.Linkoping Univ.)

Keywords:GaN, Ohmic contact, multi-probe Hall measurement

我々は, 多端子ホール素子を用いてオーミック金属下半導体のシート抵抗, シートキャリア密度, 移動度を評価する手法を提案した. 本報告ではオーミック金属下n-GaN に多端子ホール測定を適用し, 電気的特性を評価した. その結果, オーミック金属下においてシート電子密度・移動度がともに増加していることがわかった. さらに, この電子移動度向上は分極ドーピングにより説明できることを示す.