[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-14] オーミック金属下n-GaN における電子移動度の向上

〇瓜生 和也^1,2、Deng Yuchen¹、Le Son Phuong³、鈴木 寿一¹ (1.北陸先端大、2.アドバンテスト研、3.Linköping大)

キーワード：窒化ガリウム、オーミックコンタクト、多端子ホール測定

我々は, 多端子ホール素子を用いてオーミック金属下半導体のシート抵抗, シートキャリア密度, 移動度を評価する手法を提案した. 本報告ではオーミック金属下n-GaN に多端子ホール測定を適用し, 電気的特性を評価した. その結果, オーミック金属下においてシート電子密度・移動度がともに増加していることがわかった. さらに, この電子移動度向上は分極ドーピングにより説明できることを示す.