2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月17日(金) 13:00 〜 18:00 A301 (6号館)

加藤 正史(名工大)

13:45 〜 14:00

[17p-A301-4] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価(Ⅱ)

川出 智之1、田中 さくら1、江川 孝志1、三好 実人1 (1.名工大工)

キーワード:GaN-HEMT、単結晶AlN

AlNは、材料固有の物性として「高熱伝導性」と「高絶縁性」を備えており、高周波・大電力用GaN-HEMTのための下地基板に好適である。また、GaNと同じウルツ鉱型結晶を安定とする超ワイドバンドギャップ(~6.2 eV)の半導体であるため、これを下地層とする事でGaNチャネル層をpseudo- morphicに且つ高品質に成長できる事や、AlN自身によるバックバリア効果の発現にも期待が持てる。本研究では、下地AlN層によるバックバリア機能のさらなる強化を狙って、GaNチャネル厚を250 nmまで薄層化したAlGaInN/GaN HEMT構造を作製し、デバイス試作と特性評価を行ったので報告する。