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△ [17p-A301-4] 単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価(Ⅱ)
キーワード:GaN-HEMT、単結晶AlN
AlNは、材料固有の物性として「高熱伝導性」と「高絶縁性」を備えており、高周波・大電力用GaN-HEMTのための下地基板に好適である。また、GaNと同じウルツ鉱型結晶を安定とする超ワイドバンドギャップ(~6.2 eV)の半導体であるため、これを下地層とする事でGaNチャネル層をpseudo- morphicに且つ高品質に成長できる事や、AlN自身によるバックバリア効果の発現にも期待が持てる。本研究では、下地AlN層によるバックバリア機能のさらなる強化を狙って、GaNチャネル厚を250 nmまで薄層化したAlGaInN/GaN HEMT構造を作製し、デバイス試作と特性評価を行ったので報告する。