[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [17p-A301-6] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析

〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：深い準位、再結合中心、電子線照射

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，GaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，電子線照射を用いて窒素(N)変位(V_N，N_I)関連欠陥により形成される伝導帯および価電子帯から1 eV以内の電子トラップおよび正孔トラップを報告してきた．今回，電子線照射によりN変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p+-n接合およびp-n+接合ダイオードを作製し，その順方向I-V特性を解析により，n-GaNおよびp-GaN中を流れる再結合電流について評価した．その結果，N変位関連欠陥がn型p型にかかわらず，支配的な再結合中心として働くことを明らかにした．