[17p-A301-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17p-A301-8] GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源

〇清水 威杜¹、大橋 拓斗¹、冨田 一義²、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大IMaSS)

キーワード：深い準位、容量過渡分光法、等温容量過渡分光法

窒化ガリウム(GaN)中の点欠陥評価にはDLTSやICTS測定が広く用いられ、深い準位へのキャリアの捕獲及び放出過程による空乏層容量の過渡変化から、深い準位の密度、活性化エネルギー、捕獲断面積等を算出する。本発表では、少数キャリア注入が起こらない条件でICTS測定を行ったのにもかかわらず観測された少数キャリアシグナル(負のピーク)について、そのメカニズムと起源をTCADシミュレーションを用いて検討したので報告する。