[17p-A302-1~8] 固体量子ビット・スピン欠陥を用いた量子科学技術研究の最前線

[17p-A302-6] 炭化ケイ素中のスピン欠陥形成と特性評価

〇大島 武¹ (1.量研)

キーワード：スピン欠陥、量子センシング、炭化ケイ素

ワイドバンドギャップ半導体中には、室温においてもスピン操作が可能といった結晶欠陥（スピン欠陥）が形成できることから、これらを室温動作の量子ビットや量子センサへ応用する研究が盛んに行われている。本講演ではワイドバンドギャップ半導体の一つである炭化ケイ素（SiC）を母材として着目し、粒子線を用いたスピン欠陥の形成技術及び高感度量子センシングの実現に向けたスピン欠陥の特性評価・制御について紹介する。