[17p-A403-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [17p-A403-12] ベイズ最適化を援用したシリコン量子ドット積層構造の高品質化と太陽電池応用

〇熊谷 風雅¹、後藤 和泰¹、加藤 慎也²、宮本 聡¹、沓掛 健太朗³、宇佐美 徳隆¹、黒川 康良¹ (1.名大院工、2.名工大院工、3.理研AIP)

キーワード：ベイズ最適化、シリコン量子ドット、太陽電池

シリコン量子ドット(Si-QD)は粒径に応じてバンドギャップが変化するため、太陽電池の吸収層として期待されている。しかし、Si-QD表面のダングリングボンドはキャリアの再結合要因となり太陽電池性能を低下させる。そこで、水素プラズマ処理(HPT)による欠陥終端とベイズ最適化によるHPT条件最適化を組み合わせることで効率的に低欠陥な吸収層の作製を試みた。結果、太陽電池の開放電圧と曲性因子はこの種のデバイスの中で最高値を達成した。