[17p-A408-1~14] 6.3 Oxide electronics

[17p-A408-8] [The 53rd Young Scientist Presentation Award Spe] Origin of Metal-Insulator Transition of Ti₂O₃ Films Revealed by Synchrotron ARPES

〇Naoto Hasegawa¹, Kohei Yoshimatsu¹, Daisuke Shiga¹, Tatsuhiko Kanda¹, Satoru Miyazaki¹, Miho Kitamura², Koji Horiba², Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:titanium oxide, angle-resolved photoemission spectroscopy, metal insulator transition

三酸化二チタンTi₂O₃は、約450 Kにおいて温度幅の広い金属絶縁体転移（MIT）を示す。この特徴的なMITは、フェルミ準位近傍に形成された半金属的なTi 3dバンドが格子変形に伴って変化することで生じると考えられているが、詳細なMITの起源は明らかになっていない。本研究では、Ti₂O₃におけるMITの起源を明らかにするために、MIT前後での角度分解光電子分光（ARPES）測定を行った。