[17p-B401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17p-B401-3] Crystal orientation depedence of altered layer in saturated vapor water treatment

〇(B)Ryoya Yamada¹, Eri Matsubara¹, Ryota Hasegawa¹, Ryosuke Kondo¹, Ayumu Yabutani¹, Koki Hattori¹, Toma Nishibayashi¹, Yoshinori Imoto¹, Ryuitiro Sakakima¹, Sho Iwayama^1,2, Motoaki Iwaya¹, Tetsuya Takeuti¹, Satoshi Kamiyama¹, Shinya Kumagai¹, Ryuji Maruyama¹, Hideto Miyake², Shintaro Kobayashi³, Taiji Yamamoto³ (1.Meijo Univ, 2.Mie Univ, 3.Rigaku Corp)

Keywords:nitride

本研究室では、サファイア基板上にAlNナノピラーを形成したテンプレート上に成長したAlGaNを加熱した飽和蒸気圧水で処理することにより、AlGaN基板から剥離が可能であることを報告している。この処理によって変質層が形成されることが分かっており、本検討ではこの変質層の面方位依存性を調査した。実験方法は AlNのAl極性面、N極性面、m面、a面の4つの結晶面の試料を飽和蒸気圧水で処理した。結果、Al極性面は変質層が形成されず、Ｎ極性面は変質層が形成された。またｍ面、a面はエッチングされた領域が確認された。この結果から剥離のメカニズムを考察する。