[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-B401-3] 飽和蒸気圧水処理でAlNを処理することによって形成される変質層の結晶面依存性

〇(B)山田 凌矢¹、松原 衣里¹、長谷川 亮太¹、近藤 涼輔¹、薮谷 歩武¹、服部 光希¹、西林 到真¹、井本 圭紀¹、榊間 隆一郎¹、岩山 章^1,2、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、熊谷 慎也¹、丸山 隆浩¹、三宅 秀人²、小林 信太郎³、山本 泰司³ (1.名城大学理工、2.三重大・院・工、3.(株)リガク)

キーワード：窒化物

本研究室では、サファイア基板上にAlNナノピラーを形成したテンプレート上に成長したAlGaNを加熱した飽和蒸気圧水で処理することにより、AlGaN基板から剥離が可能であることを報告している。この処理によって変質層が形成されることが分かっており、本検討ではこの変質層の面方位依存性を調査した。実験方法は AlNのAl極性面、N極性面、m面、a面の4つの結晶面の試料を飽和蒸気圧水で処理した。結果、Al極性面は変質層が形成されず、Ｎ極性面は変質層が形成された。またｍ面、a面はエッチングされた領域が確認された。この結果から剥離のメカニズムを考察する。