[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-B401-8] 280 nm帯AlGaN量子井戸LEDの劣化機構に関する考察

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、粕谷 拓生¹、永田 賢吾²、奥野 浩司²、齋藤 義樹²、石黒 永孝³、竹内 哲也³ (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名城大理工)

キーワード：窒化物半導体、深紫外線LED

殺菌･消毒を意識したAlGaN系UV-C LEDの劣化前後での素子構成層の各種評価を行い、特に初期劣化機構について考察した結果を報告する。