[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-10] Si(111) p型空間電荷層のバンド湾曲形状の価電子量子化による平坦化

〇武田 さくら¹、Nur Idayu Ayob²、大門 寛¹、稲垣 剛¹ (1.奈良先端大、2.IIUM)

キーワード：バンド湾曲、p型、ナノ

半導体空間電荷層は情報化社会を支える電界効果トランジスタ(FET)の中核的構成要素である。我々は最近、Si(111)p型極狭空間電荷層が極微細FETに用いられる程度に極めて薄い場合、そのポテンシャルが従来のモデルと異なる、特異な形状になることを見出したので報告する[1]。この形状は価電子の量子化に起因し、厚さがナノオーダーのp型空間電荷層では普遍的に生じる。本形状をデバイスシミュレーションに取り入れることでサブスレッショルド電圧領域でのIV曲線などの予測をより精密に行うことが可能となると期待できる。[1] N. I. Ayob, et al., Jpn. J. Appl. Phys. 60, 064004 (2021).