[17p-D419-1~15] 6.4 薄膜新材料

[17p-D419-2] 置換元素選択によるY₃Fe_5-xM_xO₁₂ (M=Al, Ga, In, Cr, Mn, Co-Si)薄膜のスピン凍結温度の制御

〇(M2)寺尾 健裕¹、山原 弘靖¹、関 宗俊¹、田畑 仁¹ (1.東京大学)

キーワード：スピングラス、希土類鉄ガーネット

希土類鉄ガーネット(RIG)の一種のY₃Fe₅O₁₂ (YIG)は、スピン波減衰が極めて小さくスピン波素子として注目される。近年RIG系のLuIGにCo, Siを共添加しスピングラス化することで、低い減衰定数を保持しながらもスピングラス磁性による長期増強作用が報告された。スピングラスは脳型素子応用の観点で興味深いが、動作温度が低く高温化が課題である。本報告ではYIGにAl, Ga, In, Cr, Mn, Co-Siを置換しスピン凍結温度を変え、RIG系スピングラスの物質設計指針を議論する。