[17p-D505-1~11] 1.6 超音波

△ [17p-D505-5] 基板付き薄膜共振子における共振反共振法を用いた電極を含む電気機械結合係数k_eff²の直接評価

〇島野 耀康^1,2、矢田部 浩平³、柳谷 隆彦^1,2,4,5,6 (1.早大先進理工、2.材研、3.東京農工大工、4.JST-CREST、5.JST-FOREST、6.JST-START)

キーワード：圧電薄膜、BAWデバイス、電気機械結合係数

電気機械結合係数はRFフィルタの帯域や挿入損失を決定づける重要な評価指標である。基板付き薄膜共振子(HBAR)において、電極効果を含んだ実効的な電気機械結合係数k_eff²の直接評価は未だできていない。k_eff²は基板上に圧電層を成膜した後に基板を除去し、自立薄膜共振子(FBAR)にしてからIEEE standardの共振反共振法で測定するのが一般的である。そこで本報告では基板を除去せずに信号処理によりFBAR特性を模擬し、通常の共振反共振法を用いてk_eff²を直接抽出する新しい手法を提案する。