[17p-D505-1~11] 1.6 超音波

△ [17p-D505-6] 基板付き薄膜構造のk_t²評価における電極面積依存性の実験データとFEM解析データの比較

〇(M2)関 崚^1,2、清水 祐樹^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4,5 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST、5.JST-START)

キーワード：圧電薄膜、HBAR、電気機械結合係数

電気機械結合係数k_t²はBAWデバイスの性能を評価する重要なパラメータの一つである。k_t²評価にはIEEE standardの共振・反共振法がよく用いられるが、本手法では薄膜自立構造(FBAR)が必要である。一方で、我々は共振周波数比法、電磁結合信号による変換損失(CL)法、推定した音響損失を差し引いたCL法といった基板除去を必要としない様々なk_t²評価法を報告してきた。本研究では、実測で確認されたk_t²の電極面積依存性について有限要素法(FEM)を用いて解析し、結果を比較した。