[17p-D519-1~10] 6.6 プローブ顕微鏡

[17p-D519-1] 2探針STMによるSi表面の電気伝導測定

〇小野田 穣¹、Ali Khademi²、Robert Wolkow³、Jason Pitters² (1.福岡教育大、2.カナダ国立研究評議会、3.アルバータ大)

キーワード：走査トンネル顕微鏡、表面電気伝導、半導体

多探針走査トンネル顕微鏡(STM)による電気伝導測定において4端子法より2端子法が比較的制御が容易であるが、金属探針と半導体表面間では高い接触抵抗をもつSchottky障壁が形成されることが問題であった。本研究では、2探針STM を用いてSi(111)表面上の電気伝導測定を検証した。その結果、電界蒸発による探針清浄化を行うことで、探針と表面間で再現性の良いOhmic接触が得られることを見出し、ナノ領域の電気伝導測定が可能であることが分かった。