[17p-PA06-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[17p-PA06-8] バッファ層によるSi基板上エピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の特性改善

〇田中 清高¹、小川 零¹、權 相暁¹、譚 ゴオン²、神野 伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪公大)

キーワード：圧電、(K,Na)NbO3、薄膜

非鉛圧電材料として高いキュリー温度と優れた圧電特性を示す(K,Na)NbO₃（KNN）が注目されている。我々はスパッタ法によりSi基板上に作製したエピタキシャルKNN薄膜をこれまで報告し，その誘電・圧電特性は一般的な酸素欠陥に加えてAサイト欠陥にも影響されると考えられる。今回はKやNaの拡散対策としてBiFeO₃バッファ層を導入したKNN薄膜を作製し，バッファ層の効果について報告する。