[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-1] 誘電体薄膜と紫外レーザー照射によるInGaN/GaN量子井戸の高効率発光

〇三戸田 健太¹、垣内 晴也¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、船戸 充²、川上 養一²、岡本 晃一¹ (1.阪公大工、2.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、高効率発光、誘電体薄膜