[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-11] 高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いて作製した窒化ガリウム薄膜の結晶性への放電パルス長の影響

〇(B)御園 樹¹、本村 大成²、奥山 哲也¹、上原 雅人²、田原 竜夫²、工藤 昌輝³ (1.久留米高専、2.産総研、3.九大)

キーワード：スパッタリング

これまでの高密度収束プラズマスパッタリング装置を用いた低温成膜では基板温度200℃でも堆積膜の面内方向においてGaN{10-11}の六回対称性を持つようなGaN薄膜の成長が報告されている。本研究では基板温度200℃一定とし、放電パルス照射時間を変化させて成膜を行った。XRDを用いたロッキングカーブ測定を実施したところ、パルス照射時間が短くなるにつれて半値全幅が減少したことから結晶性向上が示唆された。