[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-15] THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価

〇王 丁丁¹、渡邉 迅登¹、藤井 高志^1,3、出浦 桃子²、岩本 敏志³、須山 篤志⁴、川野輪 仁⁴、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.日邦プレシジョン、4.イオンテクノセンター)

キーワード：イオン注入、テラヘルツエリプソメトリ、窒化ガリウム

Mgイオンを注入したp型GaNの作製技術は窒化ガリウムを用いたデバイス開発において極めて重要である。しかし、保護膜が堆積したままの状態では電極形成は困難であり、保護膜がない場合においてもオーミック接触が得られにくいなどの難点がある。そこで、我々はテラヘルツ時間領域分光エリプソメトリ(THz-TDSE)を用いて保護膜が堆積した状態のMgイオン注入GaNサンプルを測定可能かどうか検討した。