[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-8] リセス構造形成によるAlGaN/GaN構造の電気特性変化

〇木村 充晃¹、高橋 智秀¹、鶴巻 綾¹、神尾 岳¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：AlGaN/GaNヘテロ構造、リセス構造、TLM測定

AlGaN/GaN構造におけるオーミック電極の2端子デバイスにおいて、電極間中央にリセス長2 ㎛のリセス構造を形成した際の電気的特性変化について調べた。リセス構造全体のチャネル抵抗は、2 ㎛リセス部分のチャネル抵抗とその他の非リセス部分のチャネル抵抗の単純な和にはなっておらず、リセス部分のチャネル抵抗の影響がリセス構造全体のチャネル抵抗により大きな影響を与えているという興味深い結果が得られた。