2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月17日(金) 16:00 〜 18:00 PB07 (ポスター)

16:00 〜 18:00

[17p-PB07-9] Bイオン注入法を用いた針型マイクロLEDアレイの作製

奥井 歩夢1、西垣 尚太朗1、西川 敦2、Loesing Alexander2、関口 寛人1 (1.豊橋技大、2.ALLOS)

キーワード:イオン注入、マイクロLED、絶縁

神経ネットワークの細やかな制御のためには,5-20 µmのサイズをもつ神経細胞に個別にアクセスすることが求められる.そこでBイオン注入法を用いたGaN層の絶縁化によりマイクロLEDの高密度集積を検討した.まず,Bイオン注入の濃度と電気特性の関係性を調べ,GaN層の絶縁化条件を確認した.そして,この条件を基に針構造上に直径5 µmのマイクロLEDを作製し,5000個以上を発光させることに成功した.