[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-3] GaN MOSFETの界面酸化抑制によるしきい値・移動度特性改善

〇近藤 剣¹、上野 勝典¹、田中 亮¹、高島 信也¹、江戸 雅晴¹、諏訪 智之² (1.富士電機、2.東北大NICHe)

キーワード：半導体、MOSFET、界面酸化

GaN MOSFETにおいてMOS界面の酸化層(GaO_x層)を低減することによってPDAによるしきい値変動抑制と高チャネル移動度を両立できると予測された。そこで本研究では、界面酸化を抑制する絶縁膜成膜手法について検討し、ゲート絶縁膜成膜に適用したときの効果を検証した。PDAによるしきい値変動とチャネル移動度に絶縁膜成膜手法依存性が観察されたため報告する。