[18a-A302-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-A302-2] Ca₂RuO₄薄膜が示す温度誘起金属–絶縁体転移に依存しないモット型抵抗スイッチング現象

〇福地 厚¹、椿 啓司¹、片瀬 貴義²、神谷 利夫²、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

キーワード：金属絶縁体転移、ルテニウム酸化物、抵抗スイッチング

Ca₂RuO₄/LaAlO₃ (001)薄膜において、その抵抗率–温度曲線には明確な温度誘起金属絶縁体転移が全く存在しないにもかかわらず、面内2端子電極による電場印加を行った場合には、膜内に約100 nsのスイッチング時間を持つ急峻・高速な抵抗スイッチングが発現する事を観測した。Ca₂RuO₄が示す電流誘起型の金属絶縁体転移に起因する、新規機構によるスイッチング現象の発現を強く示唆する結果である。