2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月18日(土) 09:00 〜 11:30 B401 (2号館)

新田 州吾(名大)、上野 耕平(東大)

09:30 〜 09:45

[18a-B401-3] 偏光制御されたピコ秒レーザを用いた窒化ガリウムのパルスレーザ成膜

児玉 和樹1、宮地 光彦2、小田 修1、堀 勝1、上田 大助1 (1.名古屋大、2.アルファシステム)

キーワード:パルスレーザ堆積法、レーザ偏光、窒化ガリウム

我々はこれまでにピコ秒レーザを用いたパルスレーザ堆積法によって高濃度n-GaN膜を再成長し、ノンアロイ処理で低抵抗なオーミック電極の形成を実現した。今回、レーザ偏光面を1/2波長板を用いて変化させながら液体Ga源に照射することによって、プルーム光およびGaN成膜速度の顕著な変化を確認したので報告する。