[18a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-B401-5] Si含有GaNターゲットを用いたn型GaN薄膜の作製と評価

〇飯浜 準也¹、板東 廣朗¹、加納 絵梨沙¹、末本 祐也¹、楠瀬 好郎¹、上岡 義弘¹、召田 雅実¹ (1.東ソー株式会社)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタリング法、半導体

スパッタ法を用いたGaNの成膜法は、低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。東ソーでは、独自の焼結技術による高密度・低酸素なGaNターゲットを開発しており、これまでにスパッタGaN薄膜上にてHEMTデバイスが駆動することを報告している。スパッタGaN薄膜のデバイス適用に向け、Siを添加したGaNターゲットを新たに開発した。本検討では、Si含有GaNターゲットを用いたスパッタ法n型GaN薄膜の作製および評価を実施した。