[18a-D221-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[18a-D221-6] aFキャパシタDRAMでのノイズ-エネルギー変換のエネルギー障壁高さ依存性

〇知田 健作¹、藤原 聡¹、西口 克彦¹ (1.ＮＴＴ物性研)

キーワード：シリコンナノデバイス、電子計数統計、雑音

aFキャパシタDRAMに白色ノイズを印可すると電荷蓄積が起こる。この起源について調べる目的で、電荷蓄積量のエネルギー障壁高さ依存性を調査した。その結果、電荷蓄積量がエネルギー障壁高さに依存しないことが分かった。これは、電荷蓄積の駆動力がエネルギー障壁でのノイズ整流作用によって生成される電位差であることを示す。