[18a-D411-1~11] 2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術

[18a-D411-4] 高ゲートバイアス印加によるSiCパワーMOSFETのトータルドーズ回復現象の測定

〇水嶋 雅駿¹、小林 和淑¹、古田 潤¹ (1.京都工繊大)

キーワード：半導体、トータルドーズ効果、SiC trench MOSFET

半導体の宇宙利用に際しては放射線耐性が問題であり，次世代パワー半導体についても評価が必要である．Co60のガンマ線源を用いてトータルドーズ効果(TID:Total Ionizing Dose effect)によって劣化させた2種類のSiC trench MOSFETに対してVgs印加による回復特性の実測を行った．その結果，2種の内，TIDによって大きく劣化した素子の方が照射前の特性近くまで回復した．