[18a-D511-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[18a-D511-4] キャビティフリー・マイクロ熱電デバイスの大規模集積化（3）
導熱路構造が発電性能に与える影響

〇空閑 敬大¹、柏崎 翼¹、新井 崇平¹、松木 武雄^1,2、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

キーワード：熱電デバイス

Siナノワイヤを利用したマイクロ熱電デバイスにおいて、熱局所注入に必要な構造である導熱路(HG)を囲む層間絶縁膜(ILD)を厚く形成することで、単段デバイスで発電性能が向上することが先行研究によって明らかになっている。本研究では集積デバイスにおいてILD厚さが発電性能に与える影響を、実際にデバイスを作製し調査した。その結果集積デバイスにおいても、厚いILDを有するデバイスの方がより高い発電性能を示すことが確認された。