[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18p-B401-9] スパッタ法による高Al組成Al_xGa_1-xNへの高濃度縮退n型ドーピング

〇(M2)西川 祐人¹、前田 亮太¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：スパッタリング、窒化アルミニウムガリウム、ドーピング

AlGaN混晶を用いた光電子デバイスや超高耐圧高出力電子デバイスの低抵抗化には、高濃度n型ドーピングが必要不可欠である。しかしながら、AlGaNでは高Al組成化に伴い、様々な問題から高濃度縮退n型ドーピングは難しい。本発表ではスパッタ法をベースとした非平衡性の高いプラズマ低温結晶成長プロセスを用いることで、高Al組成AlGaN薄膜の高濃度縮退n型ドーピングに成功した結果を報告する。