[18p-D519-1~15] 6.5 表面物理・真空

△ [18p-D519-6] Si(111)上のIn多層膜の成長と原子構造

〇村田 朋香¹、黒石 健太¹、湯川 恵介¹、八田 振一郎¹、奥山 弘¹、有賀 哲也¹ (1.京大院理)

キーワード：金属超薄膜、角度分解光電子分光、低速電子回折

Si(111)表面上に作製したIn多層膜について、LEEDとSTM、ARPESを用いて調べた。基板温度を100 KにしてInを蒸着することで、3.6 MLの蒸着で(11×11)周期、4.2 ML以上の蒸着で (√3×√3)周期の超構造を観察した。どちらの超構造もSi(111)と近似的に整合する。