14:00 〜 14:30
[1Dp03] 新奇デバイス機能の実現に向けた金属酸化物の薄膜化研究
次世代エレクトロニクスの担い手として、多彩な電子機能(半導体特性、磁性、誘電性、超伝導など)を示す金属酸化物が嘱望されている。本講演では、各種真空成膜プロセス(パルスレーザー堆積法、スパッタリング法、分子線エピタキシー法)を用いた酸化物薄膜の合成例に加え、新奇デバイス機能現象を評価・検証した結果を紹介する。
表面工学・薄膜・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス(SE・TF・EMP・MI・MS)
2021年11月3日(水) 13:30 〜 16:45 D会場 (金刀比羅)
座長:大坂 藍(大阪大学産業科学研究所)、後藤 哲也(東北大学)
14:00 〜 14:30