[1Dp01-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[1Dp05] ナノワイヤを用いたスピン軌道相互作用エンジニアリング

*高瀬 恵子¹ (1. NTT物性科学基礎研究所)

III-V属半導体ナノワイヤから作製した電界効果トランジスタにおいて、ラシュバ型スピン軌道相互作用を低ゲート電圧で非常に大きく制御することに成功した我々の一連の研究について発表する。これらは、将来的な省エネルギースピンFETの実現に貢献すると期待される。また、電界効果トランジスタでなく量子ドットにおいても、スピン軌道相互作用が重要な役割を果たすことも紹介する予定である。