[1Dp01-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[1Dp10] 圧電MEMSデバイス向けPbZrTiO₃スパッタ量産化技術

*小林 宏樹¹、松岡 耕平¹、露木 達朗¹、木村 勲¹、神保 武人¹ (1. 株式会社アルバック)

近年、デバイスサイズの小型化および多機能化の同時実現のため、圧電MEMSとCMOSの混載が求められている。筆者らは、下部電極とPZT間にバッファ層を適用することで、PZTの低温結晶化に成功し、成膜温度485℃においても、パイロクロア相の発生しない、ペロブスカイト単相のPZT膜の形成に成功した。PZTの電気的特性、圧電特性および量産技術の詳細に関して当日報告する。