[2Ca07-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[2Ca10S] ミストCVD法により作製したAl₂O₃薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用

*本山 智洋¹、Baratov Ali²、Low Rui Shan²、浦野 駿²、中村 有水³、葛原 正明⁴、Asubar Joel²、谷田部 然治³ (1. 熊本大学大学院自然科学教育部、2. 福井大学大学院工学研究科、3. 熊本大学大学院先端科学研究部、4. 関西学院大学工学部)

GaN系パワー・高周波デバイスのゲート絶縁膜として有望なAl₂O₃薄膜を低コストな酸化物薄膜形成手法であるミストCVD法により作製し評価した。ミストCVD法で作製したAl₂O₃薄膜は禁制帯幅など、ALD法で作製したAl₂O₃薄膜と同等の物性値を示した。またAl₂O₃/AlGaN/GaNキャパシタの容量-電圧特性から、良好なAl₂O₃/AlGaN界面が形成されていることが示唆された。