[3Aa01-11] 公募シンポジウム「表面真空科学の新分野萌芽の土壌としてのBeyond 5G」

[3Aa04] Post-5Gに向けた高周波GaN-HEMTの開発動向

*舘野 泰範¹ (1. 住友電気工業株式会社)

高周波GaN-HEMTは、より高い周波数領域で高出力・高効率が要求されるアプリケーションを目指した研究開発が精力的に行われており、post-5G用のデバイスとしても大いに期待されている。
本講演では、GaN-HEMTの課題を整理し、それらの課題への取り組み状況や各研究機関におけるGaN-HEMTの研究動向について紹介したい。